教你正确测量MOSFET尖峰电压图文详解-KIA MOS管

测量开关电源输出纹波和功率MOSFET的VDS、VGS电压的时候，通常要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号，如图1所示。

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www.kiaic.com/article/detail/3104.html         2021-10-12

电源切换电路-PMOS串联二极管作用分享-KIA MOS管

当只有3V电源时，VOUT采用3V供电；当5V电源有效时，切换至5V供电。

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www.kiaic.com/article/detail/3103.html         2021-10-12

混合集成电路特点、应用详细解析-KIA MOS管

混合集成电路（HIC），是单独的装置，例如半导体器件的构造的小型化的电子电路（例如晶体管，二极管或单片集成电路）和无源元件（例如电阻器、电感器、变压器和电容器），并粘结到基板或印刷电路板（PCB）上。

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www.kiaic.com/article/detail/3096.html         2021-10-11

​“缺芯”危机爆发主因|我国自主芯片机遇-KIA MOS管

受疫情和经贸环境等多重因素影响，自2020年起，全球芯片产业逐渐出现产能紧张情况。“缺芯”危机的爆发主要由于三大原因：一是全球汽车产业强劲复苏带来芯片需求增加。我国作为全球最大的汽车产销国，年产销量约占全球1/3，我国汽车产业的率先复苏，对全球汽车...

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www.kiaic.com/article/detail/3095.html         2021-10-11

常用的稳压二极管应用电路图文分享-KIA MOS管

稳压二极管主要用来构成直流稳压电路，这种直流稳压电路结构简单，稳压性能一般。下图所示是稳压二极管构成的典型直流稳压电路。电路中，VZ1是稳压二极管，R1是VZ1的限流保护电阻。

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www.kiaic.com/article/detail/3094.html         2021-10-11

双场效应管推挽功率放大器解析-KIA MOS管

由于单场效应管功率放大器存在效率低、输出功率小等缺点，所以我们必须在提高功放的效率和增大输出功率方面下功夫。双场效应管推挽功率放大器就是为此而设计的。

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www.kiaic.com/article/detail/3093.html         2021-10-09

静态分析场效应管的放大电路-KIA MOS管

根据偏置电路形式，场效应管放大电路的直流通路分为自给偏压电路和分压式偏置电路。

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www.kiaic.com/article/detail/3092.html         2021-10-09

关于MOS平带电压详细分析-KIA MOS管

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平带电压（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压。平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。

www.kiaic.com/article/detail/3091.html         2021-10-09

分析MOS管G极串联电阻如何抑制谐振-KIA MOS管

这个是典型的MOS管驱动电路，串联了10Ω电阻。尽管从电路图上看去，上面既没有电感，也没有电容。但实际上是，我们PCB总要将线从驱动芯片拉到MOS管，线宽12mil，长度10mm的走线寄生电感是9．17nH。实际电路中10mm走线太正常了，所以寄生电感肯定是存在的。

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www.kiaic.com/article/detail/3090.html         2021-10-08

MOS器件--耗尽层和反型层详解以及区别-KIA MOS管

反型层是半导体材料中的一层，在某些条件下，多数载流子的类型在一定条件下变化。在通常的MOS器件中，反型层构成导电沟道，是器件导通的原因，表面反型状态对MOS器件至关重要。

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www.kiaic.com/article/detail/3089.html         2021-10-08

CMOS——短沟道效应详细分析-KIA MOS管

在半导体的制造中，始终遵循着摩尔定律，于是集成电路的尺寸持续减小，于是MOSFET的沟道长度也相应地缩短，这就导致了MOSFET管中的S和D（源和漏）的距离越来越短，因此栅极对沟道的控制能力变差，这就意味着栅极电压夹断（pinch off）沟道的难度变大，于是使得...

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www.kiaic.com/article/detail/3088.html         2021-10-08

MOSFET-阈值电压与沟道长和沟道宽的关系-KIA MOS管

通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要...

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www.kiaic.com/article/detail/3087.html         2021-09-30

MOSFET工作于弱反型/亚阈值的问题、特性分析-KIA MOS管

当 MOSFET 的 Vgs 接近其阈值电压 Vth 时，MOS 管工作在弱反型（或亚阈值区），在结构上类似于两个背靠背的二极管相连。这样我们分析时,可将其看成横向的BJT的结构,与一般的BJT不同的是,这里的基极电压是栅电压在栅电容和耗尽层电容之间的分压。

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www.kiaic.com/article/detail/3086.html         2021-09-29

MOS管在车载逆变电源中的应用方案-KIA MOS管

车载电源随着社会生活水平的提高，我们对汽车的要求已经从简单的代步工具转化为了集娱乐、生活、办公等多功能的移动场所。如需完成以上生活、工作、娱乐任务，笔记本电脑等电子设备一定是不可或缺的。

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www.kiaic.com/article/detail/3085.html         2021-09-29